国产SIC二极管，DFN8*8紧凑的表贴封装，高度仅1mm，体积小，高能效，使更紧凑的设计成为可能

图1、SIC应用

为了帮助工程师设计密度更高，效率更高的功率转换级，泰科天润（GPT）推出了DFN8*8的紧凑型表面贴装型号，有650V4A；6A(releasesoon)；8A(releasesoon)；10A；15A供您选择（G5S06504QT、G4S06510QT、G5S06508QT、G5S06510QT、G4S06515QT）。
 

图2、DFN8*8紧凑型表贴SIC二极管

　　产品的设计密度不断提高，凭借更小的封装体积与更强的性能，工程师可以在设计适配器，通信电源，PC电源及其他产品时使用。用它来代替SI二极管，可降低器件的损耗，降低器件的温升，减少损耗带来更高的效率，更低的工作温度带来更高的整机可靠性。
 

一、特点：

　　■ 表贴封装

　　■ 封装高度仅有1mm

　　■ 爬电距离增加到2.75mm

　　■ 无引脚设计

　　■ 较低的寄生电感

　　■ 优异的热性能，与TO263类似

　　■ 重量轻

　　■ 几乎可忽略的反向恢复损耗

　　■ 优秀的抗浪涌电流能力

　　二、应用：

　　■ 光伏逆变器

　　■ EV充电器

　　■ 不间断电源（UPS）

　　■ 功率因数矫正（PFC）

　　■ 电动汽车

　　■ PC、服务器电源

　　三、封装尺寸对比：

　　TO252、TO263与DFN8*8封装尺寸由图3、图4、图5给出,通过对比可以得到：

　　1、TO252封装尺寸为6.6X10X2.3(mm)；TO263封装尺寸为10.2x15.15x4.7(mm)；DFN8*8封装尺寸为8x8x1(mm)。

　　2、TO252、TO263和DFN8*8占电路板面积分别为66mm2、154mm2和64mm2。DFN所占电路板面积比TO263减小50%以上。

　　3、TO252、TO263和DFN8*8背部散热片面积分别约为23mm2、47mm2和34mm2。DFN8*8背部散热片面积比TO252增加50%左右。

　　4、TO252、TO263和DFN8*8高度分别为2.3mm、4.7mm和1mm，DFN所占高度小于TO252与TO263。

图3、TO-252封装尺寸信息

图4、TO-263封装尺寸信息

图5、DFN8*8封装尺寸信息

　　与传统的TO220和TO247封装相比，贴片封装TO252,TO263和DFN8*8大大减少了封装尺寸大小，DFN8*8因为其无引脚设计，相对于TO252和TO263而言，寄生电感更低，主要的冷却路径是通过裸露的金属焊盘到PCB，提高封装的散热能力。

　　附：

　　四、应用案例：

　　SIC在PC电源上的应用：

　　下图所示为12款金牌电源元器件一览表，其中七款都已经使用了碳化硅二极管。

　　碳化硅二极管优秀反向恢复性能可以减少功率损耗，提高整机效率；可以减少发热从而减小散热器的体积及整机重量。并且降低整机发热可以大大提高整机的可靠性（温度每升高10℃，器件失效率翻一倍），使产品的质量和性能获得提升。

图6、碳化硅二极管的应用

　　（图片来源：http://power.zol.com.cn/498/4980527_all.html真实性未考证，仅供参考）

　　碳化硅二极管在部分场合应用和电路拓扑参考下方：

表1、应用与电路拓扑

产品详情页链接：
SIC碳化硅 - SIC二极管碳化硅二极管SICmos碳化硅MOS国产替代专家深圳市炫芯微电子有限公司  http://www.dc-micro.com/index.php?m=content&c=index&a=lists&catid=65

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