2018年6月11日，一年一度的国际宽禁带功率电子应用研讨会(SCAPE2018)，在瑞典斯德哥尔摩如期召开，该研讨会是宽禁带半导体产业界高级别会议，不但有来自美国、欧洲、中国、日本等与第三代半导体相关的专家参会，更汇集了全球顶尖功率半导体知名企业与机构，如Infineon、Wolfspeed、ABB、ST、Rohm、GE Power等，SCAPE的主要活动包括：宽禁带功率电子应用培训、宽禁带功率电子应用研讨会、商业对接等。会议期间，各机构和企业就宽禁带功率电子应用、企业发展实况和产业发展前景，展开了汇报和激烈的探讨交流。

应会议组织方的特别邀请，泰科天润半导体科技（北京）公司（简称GPT）作为与会的唯一中国企业，我公司技术总监张峰博士作了有关中国碳化硅功率器件的发展现状和应用前景的精彩报告。主要讲述了SiC MOSFET未来主要的应用领域与中国巨大的功率器件应用市场，同时推出泰科天润公司的600V/20A和1200V/20A SiC MOSFET最新产品。随后介绍国际上 SiC的MOSFET面临着栅压对称性和可靠性的挑战，需要在不久的将来解决。SiC MOSFET功率器件将在1200V以上中高压领域具有应用优势。

SCAPE会议主题和召开有着重要的现实意义，宽禁带半导体第三代半导体具备高频、高效、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，切合节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求，是支撑新一代移动通信、新能源汽车、高速列车、能源互联网等产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料和电子元器件，已成为全球半导体技术研究前沿和新的产业竞争焦点。本次宽禁带功率电子应用研讨会，各国半导体公司均将SiC和GaN等宽禁带半导体作为公司未来的重要发展方向，并展示了宽禁带半导体器件的最新进展和发明，明晰了宽禁带功率器件的发展趋势，对宽禁带半导体技术的发展和市场应用具有良好的推动作用。