碳化硅(SiC)器件属于所谓的宽禁带半导体组别。与常用硅(Si)器件相比，它们为高压功率半导体提供了许多有吸引力的特性。特别是，碳化硅具备更高的击穿电场强度和导热率，可以制造出远超相应硅基的器件。这样您就可以在设计中实现原本无法企及的效率水平。
CoolSiC™ MOSFET 1200V是将设计带到全新效率和功率密度水平的前沿解决方案。通过结合最佳可靠性、安全性和易用性，CoolSiC™ MOSFET成为了太阳能、UPS和工业驱动应用的最佳解决方案。
CoolSiC™二极管系列的最新发展建立在G5器件独特的特性基础上，为客户提供可靠、高质量和高效率的产品。 其应用范围涵盖了服务器、PC电源、电信设备电源和光伏逆变器等当前和未来的应用。
第五代CoolSiC™肖特基二极管以极具吸引力的成本提供了市场领先的效率。它从各关键方面均得到优化，包括结的结构，衬底和芯片连接。它以极具竞争力的成本提供了高水准性能和高浪涌能力，是各方面良好平衡的产品系列。
碳化硅(SiC) MOSFET具有极佳的快速开关性能，英飞凌提供1200伏的CoolSiC™ 碳化硅(SiC) MOSFET以供客户选择。英飞凌的隔离型门极驱动，基于无铁芯变压器技术，以其强大的驱动能力和保护功能而著称，可以轻松地驱动1200伏的碳化硅(SiC) MOSFET，并提供可靠的电气隔离。
创新性的IGBT5和 .XT技术首先用来扩展了广为人知的PrimePACK™系列。运用新技术后，模块的功率密度提高了25%，寿命延长了10倍。
该系列模块专为组串式光伏逆变应用设计，可有效提高逆变器的效率和性能。成熟的PressFIT技术使模块组装无需焊接，加快了安装速度。
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