数据表中的参数分为两类：即最大额定值和电气特性值。对于前者，在任何情况下都 不能超过，否则器件将永久损害；对于后者，一般以最小值、最大值、和典型值的形式给出，它们的值与测试方法和应用条件密切相关。在实际应用中，若超出电气特性值，器件本身并不一定损坏，但如果设计裕度不足，可能导致电路工作失常。

在功率MOSFET的数据表给出的参数中, 通常最为关心的基本参数为Rds(on)、VBR(DSS)、Qgs和Vgs。更为高级一些的参数，如ID、Rthjc、SOA、Transfer Curve、EAS等，将在本文的下篇中再做介绍。

为了使每个参数的说明更具备直观性和易于理解，下面就对这些参数做逐一的介绍。

Rds(on): 通态电阻。Rds(on)是和温度和Vgs相关的参数，是MOSFET重要的参数之一。在数据表中，给出了在室温下的典型值和最大值，并给出了得到这个值的测试条件，详见下表。

除了表格以外，数据表中还给出了通态电阻随着结温变化的数据图。从图中可以看出，结温越高，通态电阻越高。正是由于这个特性，当单个功率MOSFET的电流容量不够时，可以采用多个同类型的功率MOSFET并联来进行扩流。

如果需要计算在指定温度下的Rds(on)，可以采用以下的计算公式。

上式中a为与工艺技术有关的常数，对于龙腾的此类功率MOSFET，可以采用0.4作为常数值。如果需要快速的估算，可以粗略认为：在最高结温下的Rds(on)通态电阻是室温下通态电阻的2倍。下表的曲线给出了Rds(on)随环境温度变化的关系。

VBR(DSS):定义了MOSFET的源级和漏级的最大能购承受的直流电压。在数据表中，此参数都会在数据表的首页给出。注意给出的VBR(DSS)值是在室温下的值。

此外，数据表中还会给出在全温范围内(-55℃…+175℃) VBR(DSS) 随着温度变化的曲线。

从上表中可以看出，VBR(DSS)是随着温度变化的，所以在设计中要注意在极限温度下的VBR(DSS)仍然能够满足系统电源对VBR(DSS) 的要求。

Qgs：数据表中给出了为了使功率MOSFET导通时在给定了的Vds电压下，当Vgs变化时的栅级电荷变化的曲线。从图表中可以看出，为了使MOSFET完全导通，Vgs的典型值约等于10V，由于器件完全导通，可以减少器件的静态损耗。

Vgs:描述了在指定了漏级电流下需要的栅源电压。数据表中给出的是在室温下，当Vds=Vgs 时，漏极电流在微安等级时的Vgs 电压。数据表中给出了最小值、典型值和最大值。

需要注意的是，在同样的漏极电流下，Vgs 电压会随着结温的升高而减小。在高结温的情况下，漏极电流已经接近达到了Idss(漏极电流)。为此，数据表中还会给出一条比常温下指定电流大10倍的漏极电流曲线作为设计参考。如下图所示。

以上介绍了在功率MOSFET数据表中最为设计者关心的基本参数 Rds(on)、VBR(DSS)、Qgs和Vgs。