- SIC碳化硅功率器件特性
- 〖 2024-04-26 | 点击 〗
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有着优异特性的碳化硅(SiC)
降低电能损耗
碳化硅材料的绝缘击穿电场强度大约比单晶硅高10倍。除此之外，由于主要决定电阻的漂移层的厚度也只有单晶硅的十分之一，所以电阻也大幅降低，从而进一步减少电能损耗。同时，SiC的优越性能也大幅降低了功率器件的导通损耗以及开关损耗。
高温操作
在温度升高时，电子会向导带转移，漏电流增加，导致无法正常运行。碳化硅的禁带宽度约为单晶硅的三倍，即使在高温时漏电流的增加也很小，可以确保高温下运行。
高速的开关操作
碳化硅在利用强度很高的绝缘击穿电场降低电能损耗的同时，也容易实现耐高压，所以可以利用单晶硅无法使用的肖特基势垒二极管(SBD)(Schottky Barrier Diode)。由于SBD没有载流子累加，最终帮助实现高速的开关动作。
优异的散热效果
碳化硅的热传导率约为单晶硅的三倍，有效提高了散热能力。
Featured Products
家电用 600V/15A・25A 超小型全SiC DIPIPM的优点
- 搭载SiC-MOSFET，能够降低通态阻抗，与已有产品*相比，功率损耗约减少70％
- 反向恢复电流变小，降低系统运行噪音
- 集成丰富功能，如自举电路、温度输出等
- 采用独有的高开通阈值电压 SiC-MOSFET芯片，门极驱动无需负压关断
- 确保封装和引脚布局与已有产品*的兼容性，直接更换可提高系统性能
内部模块图
功率损耗比较
Featured Products
PV用 600V/50A 大型混合SiC DIPIPM的优点
- 二极管处搭载SiC-SBD芯片，开关管处搭载CSTBT™结构的第7代IGBT硅片
- 与已有产品*相比，功率损耗约减少25％
- 短路保护方式变更有助于减小光伏逆变器体积
内部模块图
功率损耗比较
Featured Products
家电用 超小型混合/全SiC DIPPFC的优点
- 搭载SiC-MOSFET，能够满足高频化应用（最高40kHz）要求，电抗器、散热器等周边配套部件的小型化有助于降低成本
- 内置双升压斩波电路，能够实现交错并联控制
- 与超小型DIPIPM相同封装，与逆变电路共用散热器时，无需额外调整两者的高度，安装更加方便
内部模块图（全SiC DIPPFC）
功率损耗比较
Featured Products
工业用 1200V/75A混合/全SiC IPM的优点
- 内置驱动电路、电流检测电路和保护电路
- 功率损耗比已有产品*大幅降低
- 与已有产品*兼容封装，可替换
主要规格
Rating 1200V/75A 6in1 Mounted
Functions- Built-in drive circuit
- Under-voltage protection
- Short-circuit protection
- Over-temperature protection
(Monitoring IGBT chip surface)
内部模块图
功率损耗比较
Featured Products
工业用 1200V/400A・1200V/800A 全SiC功率模块的优点
- 与已有产品*相比，功率损耗约减少70％
- 采用低电感封装，充分发挥SiC器件性能
- 与已有产品*相比，封装体积大幅减小，安装面积约减少60％，有助于减小变流器的体积和重量
产品阵容
Applications Rated voltage Reted current Circuit configration Package size (D×W) Industrial equipment 1200V 400A 4-in-1 92.3×121.7mm 800A 2-in-1 与已有产品的封装比较
功率损耗比较 1200V/800A 全SiC功率模块
New Products
工业用 1200V/600A・1200V/800A 全SiC功率模块的优点
- 内置短路检测电路，能够将短路故障信息输出给控制系统
- 与已有产品*相比，功率损耗约减少70％*
- 采用低电感封装，充分发挥SiC器件性能
功率损耗对比 1200V/800A 全SiC功率模块
Featured Products
高频用 混合SiC功率模块的优点
- 与已有产品*相比，功率损耗约减少40％，设备效率更高
- 有助于小型化轻量化，低电感封装有助于减小浪涌电压
- 与已有产品*兼容封装，可替换
Featured Products
铁路牵引变流器用 混合SiC功率模块的优点
- 与已有产品*相比，功率损耗减少30％
- 适合铁路应用的高可靠设计
- 与已有产品*兼容封装，可替换
主要规格
Module Max.operating temperature 150℃ Isolation voltage 4000Vrms Si-IGBT
@150℃Collector-emitter saturation voltage 2.3V Switching loss
850V/1200Vturn-on 140mJ turn-off 390mJ SiC-SBD
@150℃Emitter-collector voltage 2.3V Capacitive charge 9.0µC 内部模块图
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