其中，功率电子器件及封装技术分会主题涵盖碳化硅/氮化镓电力电子器件的新结构与新工艺开发、碳化硅/氮化镓功率电子器件栅驱动设计、高效高速碳化硅/氮化镓功率模块设计与制造，碳化硅/氮化镓封装技术和碳化硅/氮化镓功率应用与可靠性等。分会将邀请国内外知名专家参加本次会议，呈现碳化硅/氮化镓功率电子器件及封装技术研究与应用的最新进展。

浙江大学教授盛况与电子科技大学教授张波共同担任分会中方主席，美国弗吉尼亚大学教授、天津大学教授陆国权与加拿大多伦多大学教授吴伟东共同担任分会外方主席。中电科五十五所教授级高工、宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室主任柏松，西安电子科技大学教授张进成，大连芯冠科技有限公司总经理梁辉南，西安交通大学教授王来利，中山大学教授刘扬等精英专家们担任分会委员。

SiC和GaN作为第三代半导体材料的典型代表，也代表了功率电子器件的发展方向，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、新能源汽车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。

本届分会上的碳化硅专场，日本丰田汽车公司功率半导体顾问、PDPlus LLC总裁、ISPSD2021大会主席Kimimori HAMADA，中电科五十五所教授级高工、宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室主任柏松，厦门大学讲座教授、全球能源互联网研究院前院长邱宇峰，浙江大学特聘副研究员任娜，深圳第三代半导体研究院研究员杨安丽，重庆大学电气工程学院副教授曾正，华北电力大学副教授李学宝，贺利氏电子中国区研发总监张靖等来自国内外高校、科研院所、企业的精英代表围绕着碳化硅功率器件及封装技术主题将带来精彩报告，多角度分享前沿研究成果。

紧扣国家“新基建”、“十四五”等前瞻利好政策，以“把握芯机遇·助力新基建”为主题，届时两场国际性盛会同台亮相，先进技术热点高度聚焦，政产学研用行业领袖齐聚，共商未来产业发展大计。